一、819 信号系统与信号处理备考要点

（一）参考书与核心内容

核心教材

信号与系统（SS）：胡光锐《信号与系统》（第二版，上海交通大学出版社）为主，重点掌握信号分类、系统响应、傅里叶变换、拉普拉斯变换等核心内容。配套使用上海交通大学出版社《信号与系统习题精解与考研指导》（白皮书）强化习题训练。

离散时间信号处理（DSP）：奥本海姆《离散时间信号处理》（第 2 版，西安交通大学出版社，刘树棠译）为核心，重点突破增采样 / 减采样实现、数字滤波器设计等内容。注意前 3 章与 SS 重复，可从第四章开始学习。

知识框架与核心模块

SS：以 “信号分析→系统建模→变换域处理” 为主线，重点掌握三大变换（傅里叶、拉普拉斯、Z 变换）的应用及系统稳定性分析。

DSP：按 “采样定理→滤波器设计→数字信号处理算法” 构建框架，重点突破 FIR/IIR 滤波器设计、希尔伯特变换等高频考点。

（二）分阶段复习策略

基础阶段（3-6 月）

教材精读与公式推导：

SS：精读胡光锐教材，完成 “信号分解”“系统冲激响应” 等课后习题，制作 “变换性质对比表”（如傅里叶变换与拉普拉斯变换的适用场景）。白皮书例题需逐题吃透，标注典型解题步骤（如 “用卷积积分求解零状态响应”）。

DSP：通读奥本海姆教材，重点理解增采样 / 减采样的数学原理，结合 MATLAB 验证 “离散信号频谱分析” 结果。整理 “滤波器设计参数表”（如截止频率、通带波纹）。

工具与笔记：使用 MATLAB 完成 “信号合成”“系统频率响应” 等实验，建立 “代码库” 标注关键参数（如采样频率、滤波器阶数）。

强化阶段（7-9 月）

真题规律总结与专题突破：

分类整理近 10 年真题，发现 SS 高频考点（如 “傅里叶变换性质应用”“系统稳定性判断”），DSP 侧重 “数字滤波器设计”“采样率转换” 等题型。按 “时域分析”“频域分析” 等专题整合知识点，例如用 “波特图” 分析 “滤波器幅频特性”。

针对 “多模块综合题”，例如 “连续系统与离散系统级联分析”，联立 SS 与 DSP 理论分步骤求解关键参数，结合白皮书 “复杂系统仿真案例” 强化逻辑。

跨学科整合与薄弱模块：

用 “线性代数” 优化 “状态空间模型化简”，结合《现代控制理论》补充 “离散系统能控性分析” 等难点。

针对 “希尔伯特变换” 等低频考点，参考《信号处理前沿技术》补充理论背景，用对比表格区分 “解析信号” 与 “实信号” 特征。

冲刺阶段（10-12 月）

高频考点强化与模拟训练：

反复默写 “三大变换公式”“滤波器设计步骤” 等核心知识点，限时完成模拟题（如 “基于 MATLAB 的 IIR 滤波器设计”），确保 25 分钟内完成逻辑清晰的答案。背诵 “数字信号处理应用案例”（如 “语音信号去噪”），每周按 “问题描述 - 理论框架 - 解决方案” 结构完成 1 套真题。

全真模拟与热点整合：

每周模拟考试环境，合理分配时间（选择题 10 分钟 / 题，计算题 20 分钟 / 题），重点检查 “采样定理应用” 的参数计算。关注 “AI 在信号处理中的应用”“5G 通信中的多载波调制” 等前沿案例，用 “信息论” 构建 “现象 - 理论 - 对策” 答题逻辑。

（三）避坑指南

真题适应性训练：交大真题侧重 “理论证明” 与 “工程应用”，需提前适应其风格。例如，DSP 可能要求结合《数字信号处理实践教程》分析 “有限字长效应” 对滤波器性能的影响。

跨专业考生注意：需优先掌握 “信号分类”“系统响应” 等基础概念，通过观看 B 站课程、绘制 “变换推导流程图” 辅助理解。例如，用 “动画演示” 直观理解 “傅里叶级数展开” 的物理意义。

二、874 半导体物理与器件基础备考要点

（一）参考书与核心内容

核心教材

半导体物理：刘恩科《半导体物理学》（第七版）为核心框架，重点掌握晶体结构、能带理论、PN 结原理等内容。配套使用《半导体物理学习指导》（同作者）强化习题训练。

半导体器件：叶良修《半导体器件物理》为补充，重点突破 MOSFET、BJT 等器件的工作原理与特性分析。

知识框架与核心模块

半导体物理：以 “晶体结构→能带理论→载流子输运” 为主线，重点掌握杂质补偿效应、光生伏特效应、霍尔效应等核心概念。

半导体器件：按 “PN 结→双极型晶体管→场效应晶体管” 构建框架，重点突破器件 I-V 特性曲线分析、小信号模型推导等。

（二）分阶段复习策略

基础阶段（3-6 月）

教材精读与理论推导：

半导体物理：精读刘恩科教材，完成 “能带结构”“载流子浓度计算” 等课后习题，制作 “晶体结构对比表”（如金刚石结构与闪锌矿结构的异同）。整理 “杂质电离模型”（如浅能级杂质与深能级杂质的电离规律）。

半导体器件：通读叶良修教材，重点理解 PN 结的形成机制与伏安特性，结合《半导体器件仿真教程》用 Silvaco Atlas 模拟 “PN 结正向导通” 过程，验证理论结果。

工具与笔记：使用 Origin 绘制 “载流子迁移率 - 温度曲线”，建立 “器件参数数据库” 标注关键指标（如禁带宽度、介电常数）。

强化阶段（7-9 月）

真题规律总结与专题突破：

分类整理近 10 年真题，发现高频考点（如 “PN 结电容计算”“MOSFET 阈值电压推导”），按 “晶体缺陷”“半导体输运” 等专题整合知识点。例如，用 “核密度分析” 评估 “能带理论” 章节的考试权重。

针对 “多物理场耦合题”，例如 “光电器件中载流子输运与光吸收的联合分析”，联立半导体物理与器件理论分步骤求解关键参数，结合《半导体器件原理与设计》补充 “异质结能带匹配” 等难点。

真题答案鸿知考研网有

跨学科整合与薄弱模块：

用 “固体物理” 优化 “晶体结构分析”，结合《量子力学》补充 “能带形成的量子力学解释”。

针对 “非平衡载流子复合” 等复杂过程，参考《半导体器件可靠性》分析 “表面态对器件寿命的影响”，用对比表格区分 “直接复合” 与 “间接复合” 的速率方程。

冲刺阶段（10-12 月）

高频考点强化与模拟训练：

反复默写 “半导体物理公式”（如爱因斯坦关系式、霍尔系数公式），限时完成模拟题（如 “异质结太阳能电池效率计算”），确保 30 分钟内完成逻辑清晰的答案。背诵 “半导体工业发展趋势”（如 “第三代半导体材料应用”），每周按 “理论框架 - 实验验证 - 应用案例” 结构完成 1 套真题。

全真模拟与热点整合：

每周模拟考试环境，合理分配时间（名词解释 5 分钟 / 题，简答题 15 分钟 / 题，论述题 25 分钟 / 题），重点检查 “器件模型参数” 的单位换算。关注 “二维材料在半导体器件中的应用”“量子点发光二极管设计” 等前沿案例，用 “材料科学” 构建 “结构 - 性能 - 应用” 答题逻辑。

（三）避坑指南

真题适应性训练：交大真题侧重 “理论应用” 与 “实验分析”，需提前适应其风格。例如，半导体物理可能要求结合《半导体测量技术》分析 “霍尔效应实验数据处理”。

跨专业考生注意：需优先掌握 “晶体结构”“能带理论” 等基础内容，通过观看慕课、绘制 “能带弯曲示意图” 辅助理解。例如，用 “动画演示” 直观理解 “PN 结空间电荷区的形成”。

三、通用方法与工具

记忆策略

框架 + 关键词：信号处理用 “变换性质表” 记忆傅里叶变换与拉普拉斯变换，半导体物理用 “器件特性对比表” 区分 MOSFET 与 BJT。

艾宾浩斯曲线：针对信号处理公式（如 “Z 变换定义式”）和半导体物理模型（如 “PN 结电流方程”），按 “1 天 - 3 天 - 7 天” 周期重复记忆。