暨大信息科学技术学院：通信各专业

A：真题试卷答案部分：

2010-2025年暨大823电子技术基础考研真题试卷

2010-2022年暨大823电子技术基础考研真题参考答案

2022 年暨大823电子技术基础(B)考研真题答案

一、填空题

1.在三极管放大电路中，已知各级电压增益分别是20dB、25dB、35dB，则三极管放大电路总增益为 80dB，折合为10倍。

(解析:计算三极管多级放大电路的总增益,可以使用各级放大电路增益的连乘的方式获得由于此处的电压增益采用对数处理，201gIA，所以此处的电压增益是以对数的形式出现，多级放大电路的总增益是使用各级放大电路的增益之和求得，即为80dB，代入201gA，可得实际增益为10'倍。)

2.在放大状态下，双极性品体管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置:结型场效应管的栅源之问加有反向偏置电压，栅漏之间加有正向偏置电压。(解析:根据双极性晶体管的特性，可看作由两只背靠背的二极管组合而成，所以在放大状态下需要发射结正偏，集电极反偏才能使输出回路只受输入回路的影响，从而实现放大控制量的功能:对于结型场效应管，初始时导电沟道存在，需要栅源反向电压才能使栅源之间的PN 结耗尽层增大，以至于压缩结型场效应管的导电沟道以进入放大状态，同理，需要栅漏电压正向才能使导电沟道一端截止以进入放大状态。)3.场效应管的栅极电流远小于双极型管的基极电流，因此共源放大的电路的输入电阻远大于共射放大电路的输入电阻。

B：专业课笔记部分：

《模拟电子技术基础》（童诗白、华成英第五版）

C：冲刺题库部分：

《模拟电子技术基础》（童诗白、华成英第五版）

==2026暨南大学考试大纲==

一、考查目标

要求考生掌握模拟电子技术的基本概念、原理和分析方法，会对各种电子电路进行分析和近似计算，理解电路工作特点并具备应用电子技术的能力。

二、考试形式和试卷结构

考试形式1.

试卷满分为 150 分，考试时间为 180分钟，题方式为闭卷试。

题型结构

(1)填空题(约 20 分)

(2)选择题(约 20 分)

(3)简答题(约40 分)

(4)计算题(约70分)

四、参考教材

《模拟电子技术基本教程》，华成英主编，清华大学出版社。