2012年厦大829材料科学基础考研真答案解析
一、名词解释(每小题 3分,共12分)
1、螺型位错
【考查知识点+解题思路】
本题考查第三章晶体缺陷位错部分的知识点,考生应熟练其概念。
【鸿知考研网参考答案】
位错线附近的原子按螺旋形排列的位错称为螺型位错。
2、共晶转变
【考查知识点+解题思路】
考查两组元相变的概念。考生应熟练掌握几种典型的二组元的定义、转变过程、产物、转变各阶段相变产物等。
【鸿知考研网参考答案】
在液相可无限互溶的两组元同时结晶出两个固相的转变称为共晶转变。
3、非均匀形核
【考查知识点+解题思路】
本题考查概念,课本中有明确定义,常考知识点。
【鸿知考研网参考答案】
合金凝固过程中,在容器壁或者在夹杂物与溶体的界面处发生的形核。
4、扩散激活能
【考查知识点+解题思路】
本题考查概念,考生应了解扩散激活能的物理意义,掌握扩散系数的公式。扩散激活能是常考的知识点,主要是掌握扩散、扩散系数、扩散激活能的定量关系及其相互影响。
【鸿知考研网参考答案】
原子在晶体结构中由一个平衡位置跳相邻的另一个平衡位置时,通常要越过一个自由能垒,该能垒高度称为激活自由能,它是原子扩散的阻力。扩散激活自由能的内能部分简称为扩散自由能。
二、计算题(12分)
在立方晶系中,有一晶面在z轴的截距为1,在z轴的截距为 1/2,且平行于轴。求此晶面指数,并画出此晶面。另有一(110)晶面,求这两晶面的晶带轴的晶向指数,并画出此晶向。
【考查知识点+解题思路】
考查考生在晶体学基础部分知识的掌握。考生应熟练掌握晶向指数和晶面指数的作图规则,这类型的作图和计算题几乎是每年几乎必考的题型。
【鸿知考研网参考答案】




