暨南大学通信823电子技术基础考研历年真题试卷和答案
开心田螺
2025-04-30 17:07:11
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2010-2024年暨大823电子技术基础考研真题试卷
2010-2022年暨大823电子技术基础考研真题参考答案
一、填空题
1.在三极管放大电路中，已知各级电压增益分别是 20dB、25dB、35dB，则三极管放大电路总增益为80dB，折合为10倍。(解析:计算三极管多级放大电路的总增益,可以使用各级放大电路增益的连乘的方式获得由于此处的电压增益采用对数处理，201gIA，所以此处的电压增益是以对数的形式出现多级放大电路的总增益是使用各级放大电路的增益之和求得，即为80dB，代入201gIA可得实际增益为 10'倍。)
2.在放大状态下，双极性品体管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置;结型场效应管的栅源之问加有反向偏置电压，栅漏之间加有正向偏置电压。(解析:根据双极性品体管的特性，可看作由两只背靠背的二极管组合而成，所以在放大状态下需要发射结正偏，集电极反偏才能使输出回路只受输入回路的影响，从而实现放大控制量的功能;对于结型场效应管，初始时导电沟道存在，需要栅源反向电压才能使栅源之间的PN 结耗尽层增大，以至于压缩结型场效应管的导电沟道以进入放大状态，同理，需要栅漏电压正向才能使导电沟道一端截止以进入放大状态。)3.场效应管的栅极电流远小于双极型管的基极电流,因此共源放大的电路的输入电阻远大于共射放大电路的输入电阻。
(解析:MOS管的栅极与源漏极绝缘，结型场效应管源和栅漏都加反偏，所以栅极电流都很微弱，输入电阻很大。)
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